Podle zpráv ze zahraničních médií, inženýři z Institutu pro elektronické informační technologie (Leti), dceřiná společnost Francouzské agentury pro atomovou energii (CEA), tvrdí, že jejich nový způsob výroby Micro LED bude znamenat revoluci ve výrobě vysoce výkonných displejů se současným LCD a vynikající kvalita obrazu a energeticky úsporný design ve srovnání s organickými LED diodami (OLED).
Francois Templier, ředitel marketingové strategie společnosti Leti Photonics, nedávno představil nový výrobní proces, který kombinuje polovodiče vyzařující světlo se silikonovými obvody řidičů v týdnu displeje Mezinárodní společnosti pro informační displej (SID) v San Jose v Kalifornii.
Vývoj velkoplošných displejů, které vyžadují vyšší rozlišení obrazu, znamená, že k řízení všech typů displejů je zapotřebí rychlejší elektronická zařízení, včetně nového komerčního mikroskopu Samsung, který zahrnuje miliony jednotlivých vyzařovačů pixelů. Formát LED a další produkty.
Existující hnací obvody založené na aktivních matricích s tenkovrstvým tranzistorem (TFT) však neposkytují požadované požadavky na proud a rychlost. Nová metoda vyvinutá firmou Leti produkuje vysoce výkonný displej GaN Micro LED řízený CMOS se zjednodušeným procesem přenosu, který eliminuje potřebu konvenční TFT backplane. Červené, zelené a modré mikro LED diody jsou naskládány přímo na mikro-CMOS obvod před přenesením každé jednotky do jednoduchého přijímacího substrátu a světelné zářiče a základní deska jsou současně vyráběny na destičkové stupnici na jedné lince pro zpracování polovodičů.
